 для авіації і космосу.){kind=link}
Havacılık uygulamaları için 1 Gbit (128 MB) STT-MRAM ayrık bellek yongalarının piyasaya sürüldüğü henüz duyuruldu. Bu, daha önce sunulandan birçok kez daha yoğun manyeto-dirençli bellektir. Havacılık ve savunma endüstrileri için ultra güvenilir elektronik doldurma üreten Micross şirketinin ürünleri hakkında konuşursak, STT-MRAM bellek elemanlarının yerleşiminin gerçek yoğunluğu 64 kat artar.
STT-MRAM Micross çipleri, Amerikan Avalanche Technology şirketinin teknolojisine dayanmaktadır. Avalanche, 2006 yılında Lexar ve Cirrus Logic'in yerlisi olan Peter Estakhri tarafından kuruldu. Avalanche, Everspin ve Samsung. Birincisi, GlobalFoundries ile işbirliği içinde çalışır ve 22 nm teknolojik standartlara sahip gömülü ve ayrık STT-MRAM'in serbest bırakılmasına odaklanır ve ikincisi (Samsung) kontrolörlerde yerleşik 28 nm bloklar şeklinde STT-MRAM'i serbest bırakırken. Bu arada 1 Gb kapasiteli bir STT-MRAM bloğu, Samsung neredeyse üç yıl önce sunuldu.
Micross'un değeri, elektronikte NAND-flash yerine kullanımı kolay olan ayrık 1Gbit STT-MRAM'in piyasaya sürülmesi olarak düşünülebilir. STT-MRAM belleği, neredeyse sonsuz sayıda yeniden yazma döngüsüyle daha geniş bir sıcaklık aralığında (-40°C ila 125°C) çalışır. Radyasyon ve sıcaklık değişikliklerinden korkmaz ve 10 yıla kadar hücrelerde veri saklayabilir, daha yüksek okuma ve yazma hızlarından ve daha az enerji tüketiminden bahsetmeye gerek yok.
STT-MRAM belleğinin hücrelerdeki verileri mıknatıslanma şeklinde depoladığını hatırlayın. Bu etki, 1974'te IBM'de sabit sürücülerin geliştirilmesi sırasında keşfedildi. Daha doğrusu, MRAM teknolojisinin temelini oluşturan manyetorezistif etki keşfedildi. Çok daha sonra, elektron spin (manyetik moment) transfer etkisi kullanılarak bellek katmanının manyetizasyonunun değiştirilmesi önerildi. Böylece MRAM ismine STT kısaltması eklendi. Elektronikte spintronikin yönü, işlemdeki son derece küçük akımlar nedeniyle talaş tüketimini büyük ölçüde azaltan spin transferine dayanır.
Ayrıca okuyun: